Xiamen Juda Chemical & Equipment Co., Ltd. є одним із провідних виробників і постачальників занурювального охолодження hfe 7200 для центрів обробки даних у Китаї. Якщо ви шукаєте занурювальне охолодження hfe 7200 для центрів обробки даних, будь ласка, купуйте наші якісні продукти за конкурентоспроможною ціною на нашому заводі. Зв'яжіться з нами для отримання пропозиції.

HFE 7200 Занурювальне охолодження для центрів обробки даних Тел.:+86-592-5803997

Що таке HFE 7200?

HFE 7200 – це спеціально розроблена гідрофторефірна рідина, призначена для однофазного охолодження-. Його унікальні властивості роблять його ідеальним для прямого-контактного охолодження електронних компонентів:

Не-провідний і не-корозійний: Безпечний для прямого занурення компонентів

Низька в'язкість: Забезпечує ефективну теплопередачу

Висока діелектрична міцність: Захищає чутливу електроніку

Екологічно сприятливий: Нульовий ODP, низький GWP порівняно з альтернативами

Технічні переваги центрів обробки даних
Тел.:+86-592-5803997

1. Виняткова теплова продуктивність

HFE 7200 забезпечує в 3-5 разів кращу ефективність теплопередачі, ніж повітряне охолодження, що дозволяє:

Підтримка щільності потужності мікросхем понад 100 Вт/см²

Постійні робочі температури для оптимізації продуктивності

Усунення локальних гарячих точок, поширених у системах-повітряного охолодження

2. Прорив в енергоефективності

Занурювальне охолодження з HFE 7200 зазвичай знижує споживання енергії на охолодження на 90-95% порівняно з традиційними системами CRAC:

Усуває потребу в чиллерах, вентиляторах і фальшпідлозі

Забезпечує більш високі робочі температури без втрати продуктивності

Знижує PUE (Ефективність використання енергії) до 1,02-1,05

3. Оптимізація простору

У 5-10 разів вища щільність обчислень на квадратний фут

Усунення сліду інфраструктури охолодження

Гнучкі варіанти розгортання, включаючи розміщення периферійних комп’ютерів

Основні сфери застосування hFE 7200 Тел.:+86-592-5803997

Високопродуктивні-обчислення

Навчальні кластери AI/ML

Наукове моделювання

Операції з майнінгу криптовалюти

Сервери високої-щільності

Хмарна інфраструктура

Центри обробки даних підприємства

Телекомунікаційні периферійні обчислення

Спеціалізоване обладнання

Системи на основі ASIC-

Платформи прискорення FPGA

Обчислювальні ферми GPU

HFE 7100 ПРОТИ 3M Novec 7100
Тел.:+86-592-5803997

Назва зразка	HFE 7200	Novec 7200
Номер CAS	163702-06-5	163702-05-4 163702-06-5
Точка кипіння (градус)	76 градусів	76 градусів
Тиск пари (25 градусів)	14,5 кПа	14,5 кПа
Щільність (кг·м3, 25 градусів)	1432	1430
Кінематична в'язкість (cst, 25 градусів)	0.4853	0.61
Поверхневий натяг (мН·м-1, 25 градусів)	14.12	13.6
Діелектрична міцність (кВ, 2,5 мм, 25 градусів)	Більше або дорівнює 9,7	/
Діелектрична проникність (@1 МГц, 25 градусів)	9.63	/
Температура спалаху	немає	немає
GWP	55	55
ODP	0	0

20 грудня 2022 року EMSD компанії 3M оголосила про свої плани припинити виробництво пер- і поліфторалкільних речовин (PFAS) і працювати над припиненням використання PFAS у своєму портфелі продуктів до кінця 2025 року.

Наш HFE 7200 є розумною, еквівалентною альтернативою 3M Novec 7200, пропонуючи ідентичну технічну досконалість із покращеною безпекою постачання й-економічною ефективністю. Розкрийте весь потенціал ваших процесів керування температурою та очищення.

Фізичні властивості HFE 7200 Тел.:+86-592-5803997

Фізичні властивості:

Зовнішній вигляд	Безбарвний, прозорий	Запах	Слабкий запах
Молекулярна маса	264	Щільність рідини	1,432 г·мл-1
Точка кипіння	76 градусів	Температура замерзання (1 атм)	-138 градусів
Температура спалаху	N/A	Температура самозаймання	375 градусів
Тиск пари (25 градусів)	14,50 кПа	Прихована теплота пароутворення	125,6 кДж·кг-1
Теплопровідність (25 градусів)	0.0631 W·m-1·K-1	Кінематична в'язкість (25 градусів)	0,4853 мм2·с-1
KB	3.57	Діелектричні втрати (1 МГц)	0.00063
Діелектрична проникність (1 МГц)	9.63	Питомий об'ємний опір (25 градусів)	2,991×1010 Ом·мм
Діелектрична міцність (2,5 мм)	Більше або дорівнює 9,7 кВ	Діапазон займистості в повітрі	2.4-12.4%
Поверхневий натяг	14,12 мН·м-1	Гостра інгаляційна токсичність (мг·м-3)	LC50 > 20407,7
GWP	55	ODP	0